SI1065X-T1-E3
MOSFET P-CH 12V 1.18A SOT563F
零件號
SI1065X-T1-E3
製造商/品牌
系列
TrenchFET®
零件狀態
Obsolete
包裝
Cut Tape (CT)
科技
MOSFET (Metal Oxide)
工作溫度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型
Surface Mount
包裝/箱
SOT-563, SOT-666
供應商設備包
SC-89-6
功耗（最大）
236mW (Ta)
場效管類型
P-Channel
場效電晶體特性
-
漏源電壓 (Vdss)
12V
電流 - 連續汲極 (Id) @ 25°C
-
Rds On（最大）@Id、Vgs
156 mOhm @ 1.18A, 4.5V
Vgs(th)（最大值）@Id
950mV @ 250µA
閘極電荷 (Qg)（最大值）@Vgs
10.8nC @ 5V
輸入電容 (Ciss)（最大值）@Vds
480pF @ 6V
驅動電壓（最大導通電阻、最小導通電阻）
1.8V, 4.5V
Vgs（最大）
±8V
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