STP11NM65N
MOSFET N-CH 650V 11A TO-220
零件號
STP11NM65N
製造商/品牌
系列
MDmesh™ II
零件狀態
Active
包裝
Tube
科技
MOSFET (Metal Oxide)
工作溫度
150°C (TJ)
安裝類型
Through Hole
包裝/箱
TO-220-3
供應商設備包
TO-220
功耗（最大）
110W (Tc)
場效管類型
N-Channel
場效電晶體特性
-
漏源電壓 (Vdss)
650V
電流 - 連續汲極 (Id) @ 25°C
11A (Tc)
Rds On（最大）@Id、Vgs
455 mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs(th)（最大值）@Id
4V @ 250µA
閘極電荷 (Qg)（最大值）@Vgs
29nC @ 10V
輸入電容 (Ciss)（最大值）@Vds
800pF @ 50V
驅動電壓（最大導通電阻、最小導通電阻）
10V
Vgs（最大）
±25V
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