ON Semiconductor
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FQD1N80TM
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FQD1N80TM

MOSFET N-CH 800V 1A DPAK
零件號
FQD1N80TM
製造商/品牌
ON Semiconductor
系列
QFET®
零件狀態
Active
包裝
Tape & Reel (TR)
科技
MOSFET (Metal Oxide)
工作溫度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型
Surface Mount
包裝/箱
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
供應商設備包
D-Pak
功耗（最大）
2.5W (Ta), 45W (Tc)
場效管類型
N-Channel
場效電晶體特性
-
漏源電壓 (Vdss)
800V
電流 - 連續汲極 (Id) @ 25°C
1A (Tc)
Rds On（最大）@Id、Vgs
20 Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th)（最大值）@Id
5V @ 250µA
閘極電荷 (Qg)（最大值）@Vgs
7.2nC @ 10V
輸入電容 (Ciss)（最大值）@Vds
195pF @ 25V
驅動電壓（最大導通電阻、最小導通電阻）
10V
Vgs（最大）
±30V
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