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FQB8N60CTM-WS

FQB8N60CTM-WS

MOSFET N-CH 600V 7.5A
零件號
FQB8N60CTM-WS
製造商/品牌
系列
QFET®
零件狀態
Obsolete
包裝
Tape & Reel (TR)
科技
MOSFET (Metal Oxide)
工作溫度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型
Surface Mount
包裝/箱
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
供應商設備包
D²PAK (TO-263AB)
功耗(最大)
3.13W (Ta), 147W (Tc)
場效管類型
N-Channel
場效電晶體特性
-
漏源電壓 (Vdss)
600V
電流 - 連續汲極 (Id) @ 25°C
7.5A (Tc)
Rds On(最大)@Id、Vgs
1.2 Ohm @ 3.75A, 10V
Vgs(th)(最大值)@Id
4V @ 250µA
閘極電荷 (Qg)(最大值)@Vgs
36nC @ 10V
輸入電容 (Ciss)(最大值)@Vds
1255pF @ 25V
驅動電壓(最大導通電阻、最小導通電阻)
10V
Vgs(最大)
±30V
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