ON Semiconductor
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FDFME2P823ZT
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FDFME2P823ZT

MOSFET P-CH 20V 2.6A 6MICROFET
零件號
FDFME2P823ZT
製造商/品牌
ON Semiconductor
系列
PowerTrench®
零件狀態
Obsolete
包裝
Cut Tape (CT)
科技
MOSFET (Metal Oxide)
工作溫度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型
Surface Mount
包裝/箱
6-UFDFN Exposed Pad
供應商設備包
6-MicroFET (1.6x1.6)
功耗（最大）
1.4W (Ta)
場效管類型
P-Channel
場效電晶體特性
Schottky Diode (Isolated)
漏源電壓 (Vdss)
20V
電流 - 連續汲極 (Id) @ 25°C
2.6A (Ta)
Rds On（最大）@Id、Vgs
142 mOhm @ 2.3A, 4.5V
Vgs(th)（最大值）@Id
1V @ 250µA
閘極電荷 (Qg)（最大值）@Vgs
7.7nC @ 4.5V
輸入電容 (Ciss)（最大值）@Vds
405pF @ 10V
驅動電壓（最大導通電阻、最小導通電阻）
1.8V, 4.5V
Vgs（最大）
±8V
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