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IXTM35N30

IXTM35N30

POWER MOSFET TO-3
零件號
IXTM35N30
製造商/品牌
系列
GigaMOS™
零件狀態
Last Time Buy
包裝
-
科技
MOSFET (Metal Oxide)
工作溫度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型
Through Hole
包裝/箱
TO-204AE
供應商設備包
TO-204AE
功耗(最大)
300W (Tc)
場效管類型
N-Channel
場效電晶體特性
-
漏源電壓 (Vdss)
300V
電流 - 連續汲極 (Id) @ 25°C
35A (Tc)
Rds On(最大)@Id、Vgs
100 mOhm @ 17.5A, 10V
Vgs(th)(最大值)@Id
4V @ 250µA
閘極電荷 (Qg)(最大值)@Vgs
220nC @ 10V
輸入電容 (Ciss)(最大值)@Vds
4600pF @ 25V
驅動電壓(最大導通電阻、最小導通電阻)
10V
Vgs(最大)
±20V
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