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IXTF6N200P3

IXTF6N200P3

MOSFET N-CH
零件號
IXTF6N200P3
製造商/品牌
系列
Polar™
零件狀態
Active
包裝
-
科技
MOSFET (Metal Oxide)
工作溫度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型
Through Hole
包裝/箱
i4-Pac™-5 (3 Leads)
供應商設備包
ISOPLUS i4-PAC™
功耗(最大)
215W (Tc)
場效管類型
N-Channel
場效電晶體特性
-
漏源電壓 (Vdss)
2000V
電流 - 連續汲極 (Id) @ 25°C
4A (Tc)
Rds On(最大)@Id、Vgs
4.2 Ohm @ 3A, 10V
Vgs(th)(最大值)@Id
5V @ 250µA
閘極電荷 (Qg)(最大值)@Vgs
143nC @ 10V
輸入電容 (Ciss)(最大值)@Vds
3700pF @ 25V
驅動電壓(最大導通電阻、最小導通電阻)
10V
Vgs(最大)
±20V
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