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IXTA1R6N100D2HV

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IXTA1R6N100D2HV

MOSFET N-CH

零件號

IXTA1R6N100D2HV

製造商/品牌

IXYS

系列

-

零件狀態

Active

包裝

-

科技

MOSFET (Metal Oxide)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

供應商設備包

TO-263HV

功耗（最大）

100W (Tc)

場效管類型

N-Channel

場效電晶體特性

Depletion Mode

漏源電壓 (Vdss)

1000V

電流 - 連續汲極 (Id) @ 25°C

1.6A (Tj)

Rds On（最大）@Id、Vgs

10 Ohm @ 800mA, 0V

Vgs(th)（最大值）@Id

4.5V @ 100µA

閘極電荷 (Qg)（最大值）@Vgs

27nC @ 5V

輸入電容 (Ciss)（最大值）@Vds

645pF @ 10V

驅動電壓（最大導通電阻、最小導通電阻）

0V

Vgs（最大）

±20V

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