IXFB38N100Q2
MOSFET N-CH 1000V 38A PLUS264
零件號
IXFB38N100Q2
製造商/品牌
系列
HiPerFET™
零件狀態
Active
包裝
Tube
科技
MOSFET (Metal Oxide)
工作溫度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型
Through Hole
包裝/箱
TO-264-3, TO-264AA
供應商設備包
PLUS264™
功耗（最大）
890W (Tc)
場效管類型
N-Channel
場效電晶體特性
-
漏源電壓 (Vdss)
1000V
電流 - 連續汲極 (Id) @ 25°C
38A (Tc)
Rds On（最大）@Id、Vgs
250 mOhm @ 19A, 10V
Vgs(th)（最大值）@Id
5.5V @ 8mA
閘極電荷 (Qg)（最大值）@Vgs
250nC @ 10V
輸入電容 (Ciss)（最大值）@Vds
13500pF @ 25V
驅動電壓（最大導通電阻、最小導通電阻）
10V
Vgs（最大）
±30V
請求報價
請填寫所有必填字段，然後點擊提交，我們將在12小時內透過電子郵件與您聯繫。如果您有任何問題，請留言或發送電子郵件至chen_hx1688@hotmail.com，我們會盡快回覆。
有存貨 30662 PCS
聯絡資訊
相關產品
關鍵字:IXFB38N100Q2
IXFB38N100Q2 電子元件
IXFB38N100Q2 銷售
IXFB38N100Q2 供應商
IXFB38N100Q2 經銷商
IXFB38N100Q2 數據表
IXFB38N100Q2 相片
IXFB38N100Q2 價格
IXFB38N100Q2 提供
IXFB38N100Q2 最低價格
IXFB38N100Q2 搜尋
IXFB38N100Q2 購買
IXFB38N100Q2 晶片