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IPI80P04P4L08AKSA1

IPI80P04P4L08AKSA1

MOSFET P-CH TO262-3
零件號
IPI80P04P4L08AKSA1
製造商/品牌
系列
Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
零件狀態
Obsolete
包裝
Tube
科技
MOSFET (Metal Oxide)
工作溫度
-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型
Through Hole
包裝/箱
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
供應商設備包
PG-TO262-3-1
功耗(最大)
75W (Tc)
場效管類型
P-Channel
場效電晶體特性
-
漏源電壓 (Vdss)
40V
電流 - 連續汲極 (Id) @ 25°C
80A (Tc)
Rds On(最大)@Id、Vgs
8.2 mOhm @ 80A, 10V
Vgs(th)(最大值)@Id
2.2V @ 120µA
閘極電荷 (Qg)(最大值)@Vgs
92nC @ 10V
輸入電容 (Ciss)(最大值)@Vds
5430pF @ 25V
驅動電壓(最大導通電阻、最小導通電阻)
4.5V, 10V
Vgs(最大)
+5V, -16V
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