圖片可能僅供參考。
有關產品詳細信息,請參閱規格。
IPD16CN10N G

IPD16CN10N G

MOSFET N-CH 100V 53A TO252-3
零件號
IPD16CN10N G
製造商/品牌
系列
OptiMOS™
零件狀態
Obsolete
包裝
Tape & Reel (TR)
科技
MOSFET (Metal Oxide)
工作溫度
-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型
Surface Mount
包裝/箱
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
供應商設備包
PG-TO252-3
功耗(最大)
100W (Tc)
場效管類型
N-Channel
場效電晶體特性
-
漏源電壓 (Vdss)
100V
電流 - 連續汲極 (Id) @ 25°C
53A (Tc)
Rds On(最大)@Id、Vgs
16 mOhm @ 53A, 10V
Vgs(th)(最大值)@Id
4V @ 61µA
閘極電荷 (Qg)(最大值)@Vgs
48nC @ 10V
輸入電容 (Ciss)(最大值)@Vds
3220pF @ 50V
驅動電壓(最大導通電阻、最小導通電阻)
10V
Vgs(最大)
±20V
請求報價
請填寫所有必填字段,然後點擊提交,我們將在12小時內透過電子郵件與您聯繫。如果您有任何問題,請留言或發送電子郵件至[email protected],我們會盡快回覆。
有存貨 36363 PCS
聯絡資訊
關鍵字:IPD16CN10N G
IPD16CN10N G 電子元件
IPD16CN10N G 銷售
IPD16CN10N G 供應商
IPD16CN10N G 經銷商
IPD16CN10N G 數據表
IPD16CN10N G 相片
IPD16CN10N G 價格
IPD16CN10N G 提供
IPD16CN10N G 最低價格
IPD16CN10N G 搜尋
IPD16CN10N G 購買
IPD16CN10N G 晶片