IPD082N10N3GBTMA1
MOSFET N-CH 100V 80A TO252-3
零件號
IPD082N10N3GBTMA1
製造商/品牌
系列
OptiMOS™
零件狀態
Obsolete
包裝
Tape & Reel (TR)
科技
MOSFET (Metal Oxide)
工作溫度
-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型
Surface Mount
包裝/箱
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
供應商設備包
PG-TO252-3
功耗（最大）
125W (Tc)
場效管類型
N-Channel
場效電晶體特性
-
漏源電壓 (Vdss)
100V
電流 - 連續汲極 (Id) @ 25°C
80A (Tc)
Rds On（最大）@Id、Vgs
8.2 mOhm @ 73A, 10V
Vgs(th)（最大值）@Id
3.5V @ 75µA
閘極電荷 (Qg)（最大值）@Vgs
55nC @ 10V
輸入電容 (Ciss)（最大值）@Vds
3980pF @ 50V
驅動電壓（最大導通電阻、最小導通電阻）
6V, 10V
Vgs（最大）
±20V
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