IPB60R190C6ATMA1
MOSFET N-CH 600V 20.2A TO263
零件號
IPB60R190C6ATMA1
製造商/品牌
系列
CoolMOS™
零件狀態
Not For New Designs
包裝
Cut Tape (CT)
科技
MOSFET (Metal Oxide)
工作溫度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型
Surface Mount
包裝/箱
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
供應商設備包
D²PAK (TO-263AB)
功耗（最大）
151W (Tc)
場效管類型
N-Channel
場效電晶體特性
-
漏源電壓 (Vdss)
600V
電流 - 連續汲極 (Id) @ 25°C
20.2A (Tc)
Rds On（最大）@Id、Vgs
190 mOhm @ 9.5A, 10V
Vgs(th)（最大值）@Id
3.5V @ 630µA
閘極電荷 (Qg)（最大值）@Vgs
63nC @ 10V
輸入電容 (Ciss)（最大值）@Vds
1400pF @ 100V
驅動電壓（最大導通電阻、最小導通電阻）
10V
Vgs（最大）
±20V
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