GSID200A170S3B1
SILICON IGBT MODULES
零件號
GSID200A170S3B1
系列
Amp+™
零件狀態
Active
工作溫度
-40°C ~ 150°C
安裝類型
Chassis Mount
包裝/箱
D-3 Module
功率 - 最大
1630W
配置
2 Independent
供應商設備包
D3
集極電流 (Ic)（最大）
400A
電壓 - 集極射極擊穿（最大）
1200V
電流 - 集電極截止（最大）
1mA
IGBT類型
-
Vce(on)（最大值）@Vge, Ic
1.9V @ 15V, 200A
輸入電容 (Cies) @ Vce
26nF @ 25V
輸入
Standard
NTC熱敏電阻
No
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