GP2M020A060N
MOSFET N-CH 600V 20A TO3PN
零件號
GP2M020A060N
系列
-
零件狀態
Obsolete
包裝
Tube
科技
MOSFET (Metal Oxide)
工作溫度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型
Through Hole
包裝/箱
TO-3P-3, SC-65-3
供應商設備包
TO-3PN
功耗（最大）
347W (Tc)
場效管類型
N-Channel
場效電晶體特性
-
漏源電壓 (Vdss)
600V
電流 - 連續汲極 (Id) @ 25°C
20A (Tc)
Rds On（最大）@Id、Vgs
330 mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th)（最大值）@Id
5V @ 250µA
閘極電荷 (Qg)（最大值）@Vgs
70nC @ 10V
輸入電容 (Ciss)（最大值）@Vds
3184pF @ 25V
驅動電壓（最大導通電阻、最小導通電阻）
10V
Vgs（最大）
±30V
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