GP1M009A090N
MOSFET N-CH 900V 9.5A TO3PN
零件號
GP1M009A090N
系列
-
零件狀態
Obsolete
包裝
Tube
科技
MOSFET (Metal Oxide)
工作溫度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型
Through Hole
包裝/箱
TO-3P-3, SC-65-3
供應商設備包
TO-3PN
功耗（最大）
312W (Tc)
場效管類型
N-Channel
場效電晶體特性
-
漏源電壓 (Vdss)
900V
電流 - 連續汲極 (Id) @ 25°C
9.5A (Tc)
Rds On（最大）@Id、Vgs
1.4 Ohm @ 4.75A, 10V
Vgs(th)（最大值）@Id
4V @ 250µA
閘極電荷 (Qg)（最大值）@Vgs
65nC @ 10V
輸入電容 (Ciss)（最大值）@Vds
2324pF @ 25V
驅動電壓（最大導通電阻、最小導通電阻）
10V
Vgs（最大）
±30V
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