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GP1M003A080CH

GP1M003A080CH

MOSFET N-CH 800V 3A DPAK
零件號
GP1M003A080CH
系列
-
零件狀態
Obsolete
包裝
Cut Tape (CT)
科技
MOSFET (Metal Oxide)
工作溫度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型
Surface Mount
包裝/箱
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
供應商設備包
TO-252, (D-Pak)
功耗(最大)
94W (Tc)
場效管類型
N-Channel
場效電晶體特性
-
漏源電壓 (Vdss)
800V
電流 - 連續汲極 (Id) @ 25°C
3A (Tc)
Rds On(最大)@Id、Vgs
4.2 Ohm @ 1.5A, 10V
Vgs(th)(最大值)@Id
4V @ 250µA
閘極電荷 (Qg)(最大值)@Vgs
19nC @ 10V
輸入電容 (Ciss)(最大值)@Vds
696pF @ 25V
驅動電壓(最大導通電阻、最小導通電阻)
10V
Vgs(最大)
±30V
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