GA10JT12-263
TRANS SJT 1200V 25A
零件號
GA10JT12-263
製造商/品牌
系列
-
零件狀態
Active
包裝
Tube
科技
SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
工作溫度
175°C (TJ)
安裝類型
Surface Mount
包裝/箱
-
供應商設備包
-
功耗（最大）
170W (Tc)
場效管類型
-
場效電晶體特性
-
漏源電壓 (Vdss)
1200V
電流 - 連續汲極 (Id) @ 25°C
25A (Tc)
Rds On（最大）@Id、Vgs
120 mOhm @ 10A
Vgs(th)（最大值）@Id
-
閘極電荷 (Qg)（最大值）@Vgs
-
輸入電容 (Ciss)（最大值）@Vds
1403pF @ 800V
驅動電壓（最大導通電阻、最小導通電阻）
-
Vgs（最大）
-
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