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EPC2108ENGRT

EPC2108ENGRT

TRANS GAN 3N-CH BUMPED DIE
零件號
EPC2108ENGRT
製造商/品牌
EPC
系列
eGaN®
零件狀態
Active
包裝
Digi-Reel®
工作溫度
-40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型
Surface Mount
包裝/箱
9-VFBGA
功率 - 最大
-
供應商設備包
9-BGA (1.35x1.35)
場效管類型
3 N-Channel (Half Bridge + Synchronous Bootstrap)
場效電晶體特性
GaNFET (Gallium Nitride)
漏源電壓 (Vdss)
60V, 100V
電流 - 連續汲極 (Id) @ 25°C
1.7A, 500mA
Rds On（最大）@Id、Vgs
190 mOhm @ 2.5A, 5V, 3.3 Ohm @ 2.5A, 5V
Vgs(th)（最大值）@Id
2.5V @ 100µA, 2.5V @ 20µA
閘極電荷 (Qg)（最大值）@Vgs
0.22nC @ 5V, 0.044nC @ 5V
輸入電容 (Ciss)（最大值）@Vds
22pF @ 30V, 7pF @ 30V
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