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EPC2107ENGRT

EPC2107ENGRT

TRANS GAN 3N-CH 100V BUMPED DIE
零件號
EPC2107ENGRT
製造商/品牌
系列
eGaN®
零件狀態
Discontinued at Digi-Key
包裝
Cut Tape (CT)
工作溫度
-40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型
Surface Mount
包裝/箱
9-VFBGA
功率 - 最大
-
供應商設備包
9-BGA (1.35x1.35)
場效管類型
3 N-Channel (Half Bridge + Synchronous Bootstrap)
場效電晶體特性
GaNFET (Gallium Nitride)
漏源電壓 (Vdss)
100V
電流 - 連續汲極 (Id) @ 25°C
1.7A, 500mA
Rds On(最大)@Id、Vgs
320 mOhm @ 2A, 5V, 3.3 Ohm @ 2A, 5V
Vgs(th)(最大值)@Id
2.5V @ 100µA, 2.5V @ 20µA
閘極電荷 (Qg)(最大值)@Vgs
0.16nC @ 5V, 0.044nC @ 5V
輸入電容 (Ciss)(最大值)@Vds
16pF @ 50V, 7pF @ 50V
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