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EPC2102ENG

EPC2102ENG

TRANS GAN 2N-CH 60V BUMPED DIE
零件號
EPC2102ENG
製造商/品牌
系列
eGaN®
零件狀態
Discontinued at Digi-Key
包裝
Tray
工作溫度
-40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型
Surface Mount
包裝/箱
Die
功率 - 最大
-
供應商設備包
Die
場效管類型
2 N-Channel (Half Bridge)
場效電晶體特性
GaNFET (Gallium Nitride)
漏源電壓 (Vdss)
60V
電流 - 連續汲極 (Id) @ 25°C
23A
Rds On(最大)@Id、Vgs
4.4 mOhm @ 20A, 5V
Vgs(th)(最大值)@Id
2.5V @ 7mA
閘極電荷 (Qg)(最大值)@Vgs
6.8nC @ 5V
輸入電容 (Ciss)(最大值)@Vds
830pF @ 30V
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