EPC2036
TRANS GAN 100V 1A BUMPED DIE
科技
GaNFET (Gallium Nitride)
電流 - 連續汲極 (Id) @ 25°C
1A (Ta)
Rds On(最大)@Id、Vgs
65 mOhm @ 1A, 5V
Vgs(th)(最大值)@Id
2.5V @ 600µA
閘極電荷 (Qg)(最大值)@Vgs
0.91nC @ 5V
輸入電容 (Ciss)(最大值)@Vds
90pF @ 50V
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