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EPC2035

EPC2035

TRANS GAN 60V 1A BUMPED DIE
零件號
EPC2035
製造商/品牌
系列
eGaN®
零件狀態
Active
包裝
Tape & Reel (TR)
科技
GaNFET (Gallium Nitride)
工作溫度
-40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型
Surface Mount
包裝/箱
Die
供應商設備包
Die
功耗(最大)
-
場效管類型
N-Channel
場效電晶體特性
-
漏源電壓 (Vdss)
60V
電流 - 連續汲極 (Id) @ 25°C
1A (Ta)
Rds On(最大)@Id、Vgs
45 mOhm @ 1A, 5V
Vgs(th)(最大值)@Id
2.5V @ 800µA
閘極電荷 (Qg)(最大值)@Vgs
1.15nC @ 5V
輸入電容 (Ciss)(最大值)@Vds
115pF @ 30V
驅動電壓(最大導通電阻、最小導通電阻)
5V
Vgs(最大)
+6V, -4V
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