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EPC2012C
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EPC2012C

TRANS GAN 200V 5A BUMPED DIE
零件號
EPC2012C
製造商/品牌
EPC
系列
eGaN®
零件狀態
Active
包裝
Cut Tape (CT)
科技
GaNFET (Gallium Nitride)
工作溫度
-40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型
Surface Mount
包裝/箱
Die
供應商設備包
Die Outline (4-Solder Bar)
功耗（最大）
-
場效管類型
N-Channel
場效電晶體特性
-
漏源電壓 (Vdss)
200V
電流 - 連續汲極 (Id) @ 25°C
5A (Ta)
Rds On（最大）@Id、Vgs
100 mOhm @ 3A, 5V
Vgs(th)（最大值）@Id
2.5V @ 1mA
閘極電荷 (Qg)（最大值）@Vgs
1.3nC @ 5V
輸入電容 (Ciss)（最大值）@Vds
140pF @ 100V
驅動電壓（最大導通電阻、最小導通電阻）
5V
Vgs（最大）
+6V, -4V
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