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EPC2010

EPC2010

TRANS GAN 200V 12A BUMPED DIE
零件號
EPC2010
製造商/品牌
系列
eGaN®
零件狀態
Discontinued at Digi-Key
包裝
Digi-Reel®
科技
GaNFET (Gallium Nitride)
工作溫度
-40°C ~ 125°C (TJ)
安裝類型
Surface Mount
包裝/箱
Die
供應商設備包
Die
功耗(最大)
-
場效管類型
N-Channel
場效電晶體特性
-
漏源電壓 (Vdss)
200V
電流 - 連續汲極 (Id) @ 25°C
12A (Ta)
Rds On(最大)@Id、Vgs
25 mOhm @ 6A, 5V
Vgs(th)(最大值)@Id
2.5V @ 3mA
閘極電荷 (Qg)(最大值)@Vgs
7.5nC @ 5V
輸入電容 (Ciss)(最大值)@Vds
540pF @ 100V
驅動電壓(最大導通電阻、最小導通電阻)
5V
Vgs(最大)
+6V, -4V
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